氮化硅 AMB 基板 · SiC 功率模块用

Name: 氮化硅 AMB 基板
Brand: NitriCeram

SiC 器件把功率密度和结温不断推高，真正的瓶颈往往不是芯片，而是基板。氮化硅 AMB 基板扛得住把氧化铝和氮化铝都裂掉的热循环，这正是它成为 800V SiC 牵引逆变器主流方案的原因。

为什么关键在基板

芯片扛得住温度，基板得扛得住循环

一台牵引逆变器每年经历数千次热循环，每一次都在拉扯陶瓷-铜的结合界面。氧化铝便宜但会裂；氮化铝导热最好，却脆、怕热冲击。氮化硅用一点点峰值导热率，换来高得多的强度，以及与 SiC 芯片最接近的热膨胀系数——界面因此承受得住，模块才能守住标称寿命。

材料对比

三种常见陶瓷，三种不同的失效模式。按真正会让你模块失效的那个因素来选。

性能	Al₂O₃（氧化铝）	AlN（氮化铝）	Si₃N₄（氮化硅）
抗弯强度（MPa）	约 300	约 300	≥ 600
热导率（W/m·K）	约 24	约 170	≥ 80
热膨胀（×10⁻⁶/K）	约 7.2	约 4.5	约 3.0
热循环可靠性	一般	良好	优秀
最适合	成本敏感	极限散热	严苛热循环

什么时候该选氮化铝：如果你的瓶颈是纯粹的热流密度——大电流工业变流器、安装稳定、循环次数少——那 AlN 的约 170 W/m·K 依然更占优势。当机械冲击、振动和热循环占主导时（车上无一例外），才该选氮化硅。

规格能力

项目	标准能力
材料	气压烧结氮化硅，密度 ≥ 3.20 g/cm³；基板专用产线生产，厚度与平面度受控。
抗弯强度	≥ 600 MPa —— 直接决定热循环寿命的性能指标。
热导率	室温下 ≥ 80 W/m·K。
热膨胀	~3.0 ×10⁻⁶/K（室温–1000 °C），接近 SiC。
基板尺寸	可达约 140 × 190 mm（更大尺寸按图纸报价）。
表面状态	精磨，厚度与平面度按 AMB 钎焊要求控制；具体表面状态按项目约定。
检测	厂内具备密度、物相（XRD）、显微组织（SEM）与强度检测；配可靠性（Weibull）实验室。

基板可按“裸片”供货，交由客户自有的 AMB / DBC 钎焊工艺；也可按你的图形提供已钎焊完成的成品基板。

应用场景

800V SiC 模块——快充与高功率密度把陶瓷-铜界面推到了极限的地方。

随日照每日循环的组串式与集中式逆变器，以及负载波动剧烈的储能变流器。

长寿命功率堆栈——基板一旦失效，就意味着整台变流器下线检修。

此外也供 SiC 模块底板，以及其他更看重机械强度与循环寿命、而非最后几个 W/m·K 的功率电子组件。

合作方式

图纸交接前可先签保密协议。

为什么是我们

NitriCeram 是山东海豚供应链有限公司旗下品牌，拥有从粉体合成、成型、气压烧结、热等静压到精密加工与厂内检测的完整产线。AMB 氮化硅基板线于 2023 年投产，面向电动车功率模块，目前已运行两条专用产线。

24–48 小时内回复可制造性评估、推荐牌号与价格。图纸交接前可先签保密协议。